概念先知道
- Flash：掉电不丢数据的存储芯片，固件和用户数据都存在里面；本页演示最基础的数据区读写。
- 先擦后写：Flash 只能把 1 变成 0（写），把 0 变回 1 必须先擦除，且擦除按扇区（例程 4KB）进行。
- 擦除后的状态：Flash 擦除后所有位恢复为 1，即读回每个字节都是
0xFF，例程用它校验擦除是否成功。 - 注意安全：写 Flash 前务必确认目标地址不在固件、分区表与 OTA 区域内，否则会破坏程序。
例程功能简介
本页对应博流官方 SDK 的 flash_read_write 例程（examples/peripherals/flash/flash_read_write），演示内部 Flash 最基础的擦除、写入与读取校验：
- 从偏移
0x10000开始，每次擦除 4KB（一页），共操作 10 页（40KB）； - 擦除后读回，逐字节确认全部为
0xFF； - 写入 0~255 递增的测试数据（4KB 内循环），再读回逐字节比对，任何不一致都会打印失败信息并停住；
- 每页校验通过打印
check success，10 页全部完成打印flash read write success。 - 同族例程（
examples/peripherals/flash/）：flash_dma（DMA 读取，见「基础外设 → Flash 内部存储」）、flash_xip_read（XIP 读取）、flash_iomode（IO 模式）、flash_get_image_hash（镜像哈希）、flash_secreg/flash_secreg_lock（安全寄存器）、flash_secure_read_write（安全读写）。
注意
例程操作的是 0x10000 偏移的 Flash 区域，这是官方示例预留的测试区。实际项目写 Flash 前务必确认目标地址不在固件、分区表与 OTA 区域内，否则会破坏程序。
操作步骤
本页不需要额外接线。在终端进入 SDK 的 Flash 读写例程目录（前提：已按快速开始（Linux）或Windows搭建好环境）：
cd examples/peripherals/flash/flash_read_write执行编译命令。Ai-M62（BL616）与 Ai-M61（BL618）同属一个系列，统一填写引脚最少的 bl616 即可：
make CHIP=bl616 BOARD=bl616dk用 USB 线连接开发板，按住 BOOT 键（Ai-M61-32S-Kit 为 IO2）不放、短按 EN/RST 进入下载模式，然后执行烧录（把串口号换成实际值）：
make flash CHIP=bl616 COMX=/dev/ttyUSB0打开串口助手（波特率 2000000）。程序从偏移 0x10000 开始，按 4KB 一页逐页操作 10 页（共 40KB）：先擦除并读回校验（应全为 0xFF），再写入 0~255 递增数据并读回逐字节校验，每页打印 check success，全部完成后打印 flash read write success。
代码执行流程
例程从启动到运行的完整流程如下（图中的循环箭头表示反复执行）：
例程调用的 API 介绍
bflb_flash_erase(addr, len)
擦除 Flash 区域。擦除按扇区进行，len 不足一扇区时按一扇区处理；擦除后该区域读回为 0xFF。
参数：
addr：Flash 地址（例程从0x10000开始，按 4KB 递增）len：擦除长度（例程 4096）
返回值：成功返回 0；失败返回负值错误码
bflb_flash_write(addr, data, len)
向 Flash 写入数据。写之前必须先擦除对应扇区，且写入地址要按 Flash 的最小编程单位对齐。
参数：
addr：Flash 地址data：待写入数据缓冲区len：写入长度
返回值：成功返回 0；失败返回负值错误码
bflb_flash_read(addr, data, len)
从 Flash 读取数据到内存缓冲区。
参数：
addr：Flash 地址data：接收缓冲区len：读取长度
返回值：成功返回 0；失败返回负值错误码
完整代码
以下为 flash_read_write/main.c 完整源码，与官方示例（examples/peripherals/flash/flash_read_write）逐字一致，默认折叠，点击展开：
📜 点击展开 flash_read_write/main.c 完整代码
#include "bflb_flash.h"
#include "board.h"
#define FLASH_RW_TOTAL_SIZE (10 * 4096)
#define FLASH_RW_START_ADDR 0x10000
static uint8_t write_buf[4096];
static uint8_t read_buf[4096];
int main(void)
{
uint32_t i, j;
uint32_t flash_addr;
board_init();
for (i = 0; i < sizeof(write_buf); i++) {
write_buf[i] = i;
}
for (uint32_t offset = 0; offset < FLASH_RW_TOTAL_SIZE; offset += sizeof(write_buf)) {
flash_addr = FLASH_RW_START_ADDR + offset;
printf("erase addr:%08x\r\n", flash_addr);
/* erase flash */
bflb_flash_erase(flash_addr, sizeof(write_buf));
memset(read_buf, 0, sizeof(read_buf));
/* read flash data */
bflb_flash_read(flash_addr, read_buf, sizeof(read_buf));
for (j = 0; j < sizeof(read_buf); j++) {
if (read_buf[j] != 0xff) {
printf("flash erase fail at %d, expect:%d but get %d\r\n", j, 0xff, read_buf[j]);
while (1) {
}
}
}
/* write flash data */
bflb_flash_write(flash_addr, write_buf, sizeof(write_buf));
memset(read_buf, 0, sizeof(read_buf));
/* read flash data */
bflb_flash_read(flash_addr, read_buf, sizeof(read_buf));
for (j = 0; j < sizeof(read_buf); j++) {
if (read_buf[j] != write_buf[j]) {
printf("flash read fail at %d, expect:%d but get %d\r\n", j, write_buf[j], read_buf[j]);
while (1) {
}
}
}
printf("check success\r\n");
}
printf("flash read write success\r\n");
while (1) {
}
}FAQ
打印 flash erase fail
擦除后读回不是 0xFF。常见原因是该地址并非空闲区域（如固件、分区表所在），或 Flash 型号/扇区大小与例程假设不符。换用官方预留的测试区地址再试。
打印 flash read fail
写入后读回与写入值不一致。先确认写入前已擦除（先擦后写），并确认地址对齐、长度不超过扇区/Flash 容量。
烧录后程序跑飞或反复重启
很可能例程写坏了固件所在区域。重新进入下载模式完整烧录一次即可恢复；以后做 Flash 读写实验时，把地址限定在官方预留的测试区。
遇到问题？
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